德國博恩斯坦BERNSTEIN磁阻傳感器
磁阻傳感器與霍爾效應(yīng)傳感器相比，靈敏度高10倍。它們不但尺寸小，還可以檢測特別低的場強。它們在高溫下也能達(dá)到高測量精度，此外，還具有可靠性高、占用空間小的特點。由于它們的設(shè)計是與極性無關(guān)的，不需要在極點方向安裝反磁鐵。博恩斯坦磁阻傳感器完成相應(yīng)封裝之后，可以在惡劣環(huán)境下有效工作，如施工升降機或農(nóng)業(yè)技術(shù)領(lǐng)域。越復(fù)雜和緊湊的測量和控制配置，就要求零部件的體積越小。根據(jù)這一發(fā)展趨勢，博恩斯坦將其位置、角度和速度各系列工業(yè)傳感器的開發(fā)分成了兩個方向：與先前zui小型號（RD=6m m）相比，微型磁阻傳感器系列的直徑進一步縮小了30%，但即使RD=4mm或5×5mm的zui小號微型傳感器，也具有大號傳感器同樣的參數(shù)性質(zhì)。在開發(fā)的第二階段，電子式磁開關(guān)的基本和標(biāo)準(zhǔn)系列已經(jīng)擴展到具備鎖定功能（雙穩(wěn)態(tài)開關(guān)特性），它只將磁場用于相應(yīng)的開關(guān)操作。因此，在當(dāng)前模塊化系列中,該功能已經(jīng)被加載到廣泛的外殼型號中。

鐵芯和銜鐵由導(dǎo)磁材料如硅鋼片或坡莫合金制成，在鐵芯和銜鐵之間有氣隙，傳感器的運動部分與銜鐵相連。當(dāng)被測量變化時，使銜鐵產(chǎn)生位移，引起磁路中磁阻變化，從而導(dǎo)致電感線圈的電感量變化，因此只要能測出這種電感量的變化，就能確定銜鐵位移量的大小和方向。變磁阻式傳感器可以用于測量位移和尺寸，也可以測量能夠轉(zhuǎn)換為位移量的其他參數(shù)力、張力、壓力、壓差、應(yīng)變、轉(zhuǎn)短、速度和加速度等。利用被測量的變化引起線圈自感或互感系數(shù)的變化，從而導(dǎo)致線圈電感量改變這一物理現(xiàn)象來實現(xiàn)測量。結(jié)構(gòu)簡單：工作中沒有活動電接觸點，因而比電位器工作可靠，壽命長。靈敏度高分辨率大：能測出0.01um甚至更小的機械位移變化，能感受小到0.1的微小角度變化，傳感器的輸出信號強，電壓靈敏度一般每一毫米可達(dá)數(shù)百毫伏，因此有利于信號的傳輸與放大。重復(fù)性好線信度優(yōu)良：在一定位移范圍內(nèi)，輸出特性的線性度好，并且比較穩(wěn)定，高精度的變磁組式傳感器，非線性誤差僅0.1%。缺點：存在交流零位信號，不易于高頻動態(tài)測量。德國博恩斯坦BERNSTEIN磁阻傳感器

將位移、轉(zhuǎn)速、加速度等非電物理量轉(zhuǎn)換為磁阻變化的傳感器。它包括電感式傳感器、變壓器式傳感器和電渦流式傳感器。變磁阻式轉(zhuǎn)速傳感器 它屬于變磁阻式傳感器。變磁阻式傳感器的三種基本類型，電感式傳感器、變壓器式傳感器和電渦流式傳感器都可制成轉(zhuǎn)速傳感器。電感式轉(zhuǎn)速傳感器應(yīng)用較廣，它利用磁通變化而產(chǎn)生感應(yīng)電勢，其電勢大小取決于磁通變化的速率。這類傳感器按結(jié)構(gòu)不同又分為開磁路式和閉磁路式兩種。開磁路式轉(zhuǎn)速傳感器結(jié)構(gòu)比較簡單，輸出信號較小，不宜在振動劇烈的場合使用。閉磁路式轉(zhuǎn)速傳感器由裝在轉(zhuǎn)軸上的外齒輪、內(nèi)齒輪、線圈和*磁鐵構(gòu)成。內(nèi)、外齒輪有相同的齒數(shù)。當(dāng)轉(zhuǎn)軸連接到被測軸上一起轉(zhuǎn)動時，由于內(nèi)、外齒輪的相對運動，產(chǎn)生磁阻變化，在線圈中產(chǎn)生交流感應(yīng)電勢。測出電勢的大小便可測出相應(yīng)轉(zhuǎn)速值。

磁阻效應(yīng)傳感器是根據(jù)磁性材料的磁阻效應(yīng)制成的。磁性材料(如坡莫合金)具有各向異性，對它進行磁化時，其磁化方向?qū)⑷Q于材料的易磁化軸、材料的形狀和磁化磁場的方向。當(dāng)給帶狀坡莫合金材料通電流I時，材料的電阻取決于電流的方向與磁化方向的夾角。如果給材料施加一個磁場B(被測磁場)，就會使原來的磁化方向轉(zhuǎn)動。如果磁化方向轉(zhuǎn)向垂直于電流的方向，則材料的電阻將減小;如果磁化方向轉(zhuǎn)向平行于電流的方向，則材料的電阻將增大。磁阻效應(yīng)傳感器一般有四個這樣的電阻組成，并將它們接成電橋。在被測磁場B作用下，電橋中位于相對位置的兩個電阻阻值增大，另外兩個電阻的阻值減小。在其線性范圍內(nèi)，電橋的輸出電壓與被測磁場成正比。磁阻傳感器已經(jīng)能制作在硅片上，并形成產(chǎn)品。其靈敏度和線性度已經(jīng)能滿足磁羅盤的要求，各方面的性能明顯優(yōu)于霍爾器件。遲滯誤差和零點溫度漂移還可采用對傳感器進行交替正向磁化和反向磁化的方法加以消除。

SI1011    SID10ADBFNKG/US-100-INF
SI1100    SID10ADTFPKG/US-100-IPF
SI1101    SID10ADTFNKG/US-100-INF
SI1104    SID10ADT100G/US-100-IAZ
SI1106    SID10ADTFKOW/LS-100-IRF
SI2000    SIS30ABBFPKG/US-100-IPF
SI2100    SIS30ABBFPKG/US-100-IPF
SI2200    SIS30ABBFPKG/US-100-IPF
SR2301   VS2000/ 24VDC/EXI/1G
SR0127   VS0200/ 24VDC
SR0150   VS3000/24VDC
SR0151   VS3000/24VDC
SR3001   VS0300/24VDC